شرکت وسترن دیجیتال، یکی از پیشروها در زمینه ساخت حافظه‌های فلش و دستگاه های ذخیره‌سازی به نظر در حال ساخت یک حافظه فلش با زمان تاخیر بسیار پایین، عملکرد و تحمل بالا است. هدف از ساخت این حافظه فلش رقابت با محصولات قدرتمند Intel Optane است.
وسترن دیجیتال به تازگی در مورد حافظه فلش با زمان تاخیر پایین خود صحبت کرده است. این تکنولوژی چیزی مابین ۳D NAND و DRAM خواهد بود. دقیقا مانند کاری که Intel Optane و Samsung Z-NAND انجام می‌دهند. بر اساس صحبت‌های وسترن دیجیتال این حافظه شامل زمان دسترسی در حد میکروثانیه است. همچنین این حافظه‌ها از معماری یک بیت در سلول یا دو بیت در سلول استفاده خواهند کرد. همچنین این شرکت اذعان داشته که هدف اصلی از ساخت این حافظه‌های جدید فقط عملکرد بوده است. این حافظه‌ها قیمتی ده برابر کمتر از DRAM دارد اما بیست برابر ۳D NAND به ازای هر گیگابایت هزینه خواهد داشت. به همین خاطر به نظر می‌رسد که این حافظه صرفا برای کارهای خاصی در دیتاسنتر که هدف آنها بار‌های کاری بسیار حجمی است مورد استفاده قرار گیرد.
البته وسترن دیجیتال تمام اطلاعات مربوط به این حافظه‌های جدید با زمان تاخیر کم را فاش نکرده است و نمی‌توان حدس زد که آیا این تکنولوژی ربطی به حافظه‌های XL-FLASH شرکت توشیبا که در سال گذشته معرفی شد، دارد یا خیر؟ آنها همچنین در مورد زمان عرضه هیچ صحبتی انجام ندادند. بدون شک رقیب اصلی این حافظه‌های جدید وسترن، حافظه‌های Optane هستند. باید دید که وسترن در چه زمانی محصولاتی بر پایه این تکنولوژی جدید ارائه خواهد کرد و در نهایت قیمت نهایی این محصولات به چه شکل است؟
بهترین قیمت خرید سرور اچ پی در پردازش رایان پژواک